
1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.80 EUR |
10+ | 2.05 EUR |
25+ | 1.87 EUR |
100+ | 1.66 EUR |
250+ | 1.56 EUR |
500+ | 1.51 EUR |
1000+ | 1.46 EUR |
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Technische Details 1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 1EDB6275FXUMA1 nach Preis ab 1.50 EUR bis 2.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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1EDB6275FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDB6275FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDB6275FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDB6275FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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1EDB6275FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 15V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-8-51 Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |