1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 1.7 EUR |
| 112+ | 1.54 EUR |
| 115+ | 1.46 EUR |
| 120+ | 1.38 EUR |
| 250+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
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Technische Details 1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, Bauform - Treiber: SOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote 1EDB8275FXUMA1 nach Preis ab 1.14 EUR bis 3.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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1EDB8275FXUMA1 | Infineon Technologies |
 Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
auf Bestellung 4729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDB8275FXUMA1 | Infineon Technologies |
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
auf Bestellung 2234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDB8275FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDB8275FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
auf Bestellung 30409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDB8275FXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns Pulse Width Distortion (Max): 2ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V |
auf Bestellung 2154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDB8275FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1EDB8275FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 4729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 1.7 EUR |
| 112+ | 1.51 EUR |
| 115+ | 1.4 EUR |
| 120+ | 1.31 EUR |
| 250+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 1EDB8275FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 99+ | 1.77 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 2000+ | 1.55 EUR |
| 1EDB8275FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.49 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 117+ | 1.83 EUR |
| 250+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| 2500+ | 1.54 EUR |
| 1EDB8275FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
auf Bestellung 30409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 2.23 EUR |
| 25+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.77 EUR |
| 250+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
| 1EDB8275FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.06 EUR |
| 10+ | 2.25 EUR |
| 25+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 250+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 1EDB8275FXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.62 EUR |
| 94+ | 2.49 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 117+ | 1.83 EUR |
| 250+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| 2500+ | 1.54 EUR |