1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
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Technische Details 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: VSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, Bauform - Treiber: VSON, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 55ns, Ausgabeverzögerung: 55ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote 1EDN7116GXTMA1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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1EDN7116GXTMA1 | Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7116GXTMA1 | Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 3488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7116GXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V |
auf Bestellung 7374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDN7116GXTMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS |
auf Bestellung 6920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDN7116GXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSONtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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1EDN7116GXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSONtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V Bauform - Treiber: VSON SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 1EDN7116GXTMA1 | Infineon |
High-Side or Low-Side Gate Driver Non-Inverting; 3ns; 2A; 4,2V~11V; -40°C~125°C; 1EDN7116GXTMA1 INFINEON UI1EDN7116GAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 1EDN7116GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
High-Side T Gate Driver IC
High-Side T Gate Driver IC
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 811+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 1EDN7116GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
High-Side T Gate Driver IC
High-Side T Gate Driver IC
auf Bestellung 3488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 811+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 1EDN7116GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
auf Bestellung 7374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 1.14 EUR |
| 22+ | 0.82 EUR |
| 25+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 250+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 1EDN7116GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
auf Bestellung 6920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.32 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 25+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 250+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 1EDN7116GXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1EDN7116GXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Bauform - Treiber: VSON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Bauform - Treiber: VSON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1EDN7116GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon
High-Side or Low-Side Gate Driver Non-Inverting; 3ns; 2A; 4,2V~11V; -40°C~125°C; 1EDN7116GXTMA1 INFINEON UI1EDN7116G
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
High-Side or Low-Side Gate Driver Non-Inverting; 3ns; 2A; 4,2V~11V; -40°C~125°C; 1EDN7116GXTMA1 INFINEON UI1EDN7116G
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.15 EUR |




