auf Bestellung 3168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 288+ | 0.5 EUR |
| 293+ | 0.48 EUR |
| 297+ | 0.45 EUR |
| 302+ | 0.43 EUR |
| 307+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: VSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: VSON, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 55ns, Ausgabeverzögerung: 55ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 1EDN7116GXTMA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 3.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 3168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
auf Bestellung 3024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 7385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Bauform - Treiber: VSON Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| 1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon |
High-Side or Low-Side Gate Driver Non-Inverting; 3ns; 2A; 4,2V~11V; -40°C~125°C; 1EDN7116GXTMA1 INFINEON UI1EDN7116G Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
| 1EDN7116GXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005405019 |
Produkt ist nicht verfügbar |