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Technische Details 1N5407G ON Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N540xG Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote 1N5407G nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.95 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 5655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
auf Bestellung 3448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N540xG Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5407 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5407G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
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1N5407G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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1N5407G | Hersteller : Lite-On Electronics |
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1N5407G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5407G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
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1N5407G | Hersteller : EIC |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5407G | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5407-G | Hersteller : Comchip Technology |
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1N5407G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
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