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1N5407G

1N5407G ON Semiconductor

1n5400-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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Technische Details 1N5407G ON Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N540xG Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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1N5407G 1N5407G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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1N5407G 1N5407G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5407-G 1N5407-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5407-G 1N5407-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Small Signal Switching Diodes VR=800V, IO=3A
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500+0.26 EUR
1200+0.2 EUR
2400+0.18 EUR
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1N5407G 1N5407G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 800V 3A Standard
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1N5407G 1N5407G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
auf Bestellung 2216 Stücke:
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Anzahl Preis
22+0.81 EUR
36+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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1N5407G 1N5407G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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19+0.93 EUR
31+0.58 EUR
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500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
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1N5407G 1N5407G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5407G 1N5407G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5407
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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1N5407G 1N5407G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N540xG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5164 Stücke:
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1N5407G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB8749461F840D6&compId=1N540x.PDF?ci_sign=edfd626bae2e7653ac1fbc632df6258f6bde519c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
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1N5407G 1N5407G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
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1N5407-G 1N5407-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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1N5407G 1N5407G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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1N5407G 1N5407G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5407G 1N5407G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED883F8E7897F5D8A18&compId=1N5400G_SER.pdf?ci_sign=8e0dcbe4a7cc8c13aa5ef9edb827de75a9b903b1 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5407G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB8749461F840D6&compId=1N540x.PDF?ci_sign=edfd626bae2e7653ac1fbc632df6258f6bde519c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5407-G 1N5407-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5407G Hersteller : Lite-On Electronics 1n5400g-1n5408g-9.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5407G 1N5407G Hersteller : EIC 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5407G 1N5407G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5407G 1N5407G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5407-G 1N5407-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5407G 1N5407G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED883F8E7897F5D8A18&compId=1N5400G_SER.pdf?ci_sign=8e0dcbe4a7cc8c13aa5ef9edb827de75a9b903b1 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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