1N5419US Sensitron Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 41+ | 3.45 EUR |
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Technische Details 1N5419US Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V.
Weitere Produktangebote 1N5419US nach Preis ab 7.35 EUR bis 7.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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1N5419US | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
 Diode Switching 500V 3A 2-Pin MELF-B |
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1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 500V 3A 250ns 2-Pin E-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 500V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5419US | Hersteller : MICROSEMI |
E/VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5419 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR SQ SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |