
1N5419US Sensitron Semiconductors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 3.45 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 1N5419US Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V.
Weitere Produktangebote 1N5419US nach Preis ab 7.35 EUR bis 7.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5419US | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
![]() |
1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
![]() |
1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
1N5419US | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
|
1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
1N5419US | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |