1N5619E3 Microchip Technology
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Technische Details 1N5619E3 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 1N5619E3 | Hersteller : Microsemi |
 Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin Case A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5619E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5619E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V |
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1N5619E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifiers Rectifier |
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