1N5711UR-1E3 Microchip Technology
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Technische Details 1N5711UR-1E3 Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 33mA, Supplier Device Package: DO-213AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 50 V.
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Verfügbarkeit |
Preis |
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1N5711UR-1E3 | Hersteller : Microchip Technology |
 MLF Surface Mount Schottky Barrier Diode |
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1N5711UR-1E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Schottky 50V 0.033A 2-Pin MELF |
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1N5711UR-1E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 50 V |
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1N5711UR-1E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Schottky Diodes & Rectifiers 70V 33MA Lead-Free Round-End Small-Signal Schottky |
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