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1N5807US

1N5807US EIC Semiconductor

1n5807us_11us_rev.01.pdf Hersteller: EIC Semiconductor
Diode Switching 50V 6A 2-Pin SMB
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Technische Details 1N5807US EIC Semiconductor

Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.

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1N5807US 1N5807US Hersteller : Microchip Technology 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf Diode Switching 50V 6A 2-Pin E-MELF Bag
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1N5807US 1N5807US Hersteller : Microchip Technology LDS-0168-1%2C+1N5807US-1N5809US-1N5811US%28URS%29%2C+MIL-PRF-19500-477.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
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1N5807US Hersteller : Semtech Corporation AnEaklPE3LH6vm1rEtntK.ByOwwH8SCOV9z.Rg4YdQw Description: DIODE STANDARD 50V 6A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
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