auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.23 EUR |
| 100+ | 9.5 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 1N5809 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote 1N5809 nach Preis ab 9.55 EUR bis 13.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5809 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIALPackaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
1N5809 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case B Bag |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
1N5809 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case B Bag |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
1N5809 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case B Bag |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
| 1N5809 | Hersteller : MICROSEMI |
E/6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1N5809 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
||||||||||||
| 1N5809 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case 304 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
|
|
1N5809 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case B Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| 1N5809 | Hersteller : Semtech |
6A SUPERFAST RECT POWER DISCR 1N5809 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
| 1N5809 | Hersteller : Semtech Corporation |
Description: DIODE STANDARD 100V 6A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: Axial Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
 |
1N5809 | Hersteller : Semtech |
Rectifiers D MET 6A SFST 100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| 1N5809 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; tape; Ifsm: 125A; Ufmax: 0.8V; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Max. forward voltage: 0.8V Reverse recovery time: 30ns |
Produkt ist nicht verfügbar |