1N5811E3 Microchip Technology
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Technische Details 1N5811E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Weitere Produktangebote 1N5811E3 nach Preis ab 17.39 EUR bis 19.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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1N5811E3 | Hersteller : Microchip Technology |
 Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case B Bag |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5811E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifiers 150V 3A Lead-Free UFR,FRR THT |
auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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1N5811E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case B Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5811E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5811E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
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