1N5814 Microchip Technology
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Technische Details 1N5814 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-203AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
 Diode Switching 100V 20A 2-Pin DO-4 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5814 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
Ultrafast Recovery Rectifiers Qualified per MIL-PRF-19500/478 |
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1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 100V 20A 35ns 2-Pin DO-4 Tray |
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1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
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1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifiers 100V 20A Stud Mount UFR,FRR |
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