
1N5814 Microchip Technology
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 70.07 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 1N5814 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-203AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote 1N5814
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
1N5814 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
1N5814 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |