
1N5819UR-1E3 Microchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 45
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3+ | 8.71 EUR |
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Technische Details 1N5819UR-1E3 Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 45, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V.
Weitere Produktangebote 1N5819UR-1E3 nach Preis ab 8.48 EUR bis 9.12 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5819UR-1E3 | Hersteller : Microchip Technology |
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