1N5821US Microchip Technology
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Technische Details 1N5821US Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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