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1N6483-E3/96

1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1n6478.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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Technische Details 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

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1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor 1n6478.pdf Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
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1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Hersteller : Vishay 1n6478.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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1N6483-E3/96 Hersteller : VISHAY 1n6478.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.1V
Case: DO213AB; GL41
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 8pF
Leakage current: 0.2mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Quantity in set/package: 1500pcs.
Kind of package: 7 inch reel
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