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Technische Details 1N6628US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.75A, Supplier Device Package: A-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V.
Weitere Produktangebote 1N6628US
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6628US | MICROSEMI |
 E/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N6628Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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1N6628US | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.75A Supplier Device Package: A-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N6628US | Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 600V 4A 30ns 2-Pin MELF-B |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N6628US | Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N6628US |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.75A
Supplier Device Package: A-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.75A
Supplier Device Package: A-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| 1N6628US |
|
Hersteller: Sensitron Semiconductors
Rectifier Diode Switching 600V 4A 30ns 2-Pin MELF-B
Rectifier Diode Switching 600V 4A 30ns 2-Pin MELF-B
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| 1N6628US |
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Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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