1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 1SS360,LJ(CT - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-416, Durchlassstoßstrom: 2A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 1SS360,LJ(CT nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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1SS360,LJ(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SSM Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
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1SS360,LJ(CT | Hersteller : Toshiba |
Small Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE |
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1SS360,LJ(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS360,LJ(CT - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
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1SS360,LJ(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS360,LJ(CT - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS360,LJ(CT | Hersteller : Toshiba |
Diode Switching Si 85V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
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