auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 30.65 EUR |
10+ | 27.01 EUR |
25+ | 26.29 EUR |
50+ | 24.83 EUR |
100+ | 23.37 EUR |
250+ | 22.62 EUR |
500+ | 21.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N4858 InterFET
Description: JFET N-CH 40V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Supplier Device Package: TO-18, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Power - Max: 360 mW, Resistance - RDS(On): 60 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 500 pA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V.
Weitere Produktangebote 2N4858 nach Preis ab 76.87 EUR bis 145.5 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N4858 | Hersteller : Microchip Technology | Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
2N4858 | Hersteller : Microchip Technology | Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
2N4858 | Hersteller : Microchip Technology | JFET JFET |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||
2N4858 | Hersteller : MOT | CAN |
auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||
2N4858 | Hersteller : MOTOROLA |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||
2N4858 | Hersteller : Central Semiconductor | Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin TO-18 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
2N4858 | Hersteller : Microchip Technology | Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
2N4858 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: JFET N-CH 40V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-18 Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 360 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |