2N5322

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Hersteller: Microsemi
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5
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Technische Details 2N5322

Description: BI-POLAR SILICON TRANSISTOR PNP, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

Preis 2N5322 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 75V 1.2A 1000mW 3-Pin TO-39
9039.pdf
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2N5322
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT TO-39 PNP GEN PUR SS
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5322
Hersteller: Microchip Technology
Description: PNP TRANSISTOR
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 10 W
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2N5322
Hersteller: Solid State Inc.
Description: BI-POLAR SILICON TRANSISTOR PNP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N5322
2N5322
Hersteller: onsemi
Description: PNP 10W TRANS./2N5320 COMPLIMENT
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 50mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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