2N5322 MULTICOMP PRO
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5322 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 75 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details 2N5322 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5322 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 75 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2N5322
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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2N5322 | onsemi |
Description: TRANS PNP 75V 2A TO39 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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| 2N5322 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| 2N5322 | onsemi |
onsemi |
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| 2N5322 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT TO-39 PNP GEN PUR SS |
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| 2N5322 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 75V 2A TO39
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 50mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 75V 2A TO39
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 50mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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| 2N5322 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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| 2N5322 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT TO-39 PNP GEN PUR SS
Bipolar Transistors - BJT TO-39 PNP GEN PUR SS
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