2N5550TA Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 26815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7755+ | 0.063 EUR |
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Technische Details 2N5550TA Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote 2N5550TA nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.46 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N5550TA | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5550TA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5550TA | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 4831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5550TA | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 4831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5550TA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 3307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5550TA | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 8145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5550TA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5550TA | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N5550TA | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N5550TA | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N5550TA | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N5550TA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...300MHz Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5550TA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...300MHz Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W |
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