2N6295 Central Semiconductor
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Technische Details 2N6295 Central Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 50 W.
Weitere Produktangebote 2N6295 nach Preis ab 63.78 EUR bis 68.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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2N6295 | Hersteller : Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6295 | Hersteller : Central Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve |
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| 2N6295 | Hersteller : MOTOROLA |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6295 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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2N6295 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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2N6295 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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2N6295 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W |
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