Technische Details 2N6295 MOTOROLA
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO66, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1.5A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N6295 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO66Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1.5A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk |
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2N6295 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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2N6295 | Central Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve |
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2N6295 | Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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2N6295 | Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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2N6295 | Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N6295 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO66
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO66
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Hersteller: Central Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve
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Hersteller: Microchip Technology
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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| 2N6295 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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Hersteller: Microchip Technology
Trans Darlington NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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