2N6517BU
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Technische Details 2N6517BU
Description: TRANS NPN 350V 500MA TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 200MHz, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Packaging: Bulk.
Preis 2N6517BU ab 0 EUR bis 0 EUR
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2N6517BU Hersteller: ONSEMI Material: 2N6517BU NPN THT transistors 
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2N6517BU Hersteller: ONSEMI Material: 2N6517BU NPN THT transistors
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 Hersteller: onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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auf Bestellung 10000 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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auf Bestellung 11253 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6517BU Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N6517BU Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N6517BU Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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auf Bestellung 12 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6517BU Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350V Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Supplier Device Package: TO-92-3 Transistor Type: NPN Part Status: Active Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Frequency - Transition: 200MHz Power - Max: 625mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
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,TO-226_straightlead.jpg "2N6517BU") Hersteller: onsemi Description: TRANS NPN 350V 500MA TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Packaging: Bulk
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auf Bestellung 25 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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