2N6517BU

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details 2N6517BU

Description: TRANS NPN 350V 500MA TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 200MHz, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Packaging: Bulk.

Preis 2N6517BU ab 0 EUR bis 0 EUR

2N6517BU
Hersteller: ONSEMI
Material: 2N6517BU NPN THT transistors
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Hersteller: ONSEMI
Material: 2N6517BU NPN THT transistors
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2N6517BU
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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2N6517BU
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Frequency - Transition: 200MHz
Power - Max: 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
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2N6517BU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 500MA TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
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