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2N6517BU

2N6517BU ONSEMI

2n6515-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...200
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 8080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
420+0.17 EUR
480+ 0.15 EUR
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660+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 420
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Technische Details 2N6517BU ONSEMI

Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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2N6517BU 2N6517BU Hersteller : ONSEMI 2n6515-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...200
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
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2N6517BU 2N6517BU Hersteller : onsemi / Fairchild 2N6517_D-2309698.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 13260 Stücke:
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56+0.94 EUR
81+ 0.65 EUR
186+ 0.28 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
10000+ 0.14 EUR
30000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2N6517BU 2N6517BU Hersteller : onsemi 2n6515-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 19502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.96 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
2000+ 0.17 EUR
10000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N6517BU 2N6517BU Hersteller : ONSEMI 112567.pdf Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6517BU Hersteller : ON-Semicoductor 2n6515-d.pdf NPN 500mA 350V 620mW 2N6517 T2N6517
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N6517BU 2N6517BU Hersteller : ON Semiconductor 2n6515-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N6517BU 2N6517BU Hersteller : ON Semiconductor 2n6517-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N6517BU 2N6517BU Hersteller : ON Semiconductor 2n6517-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N6517BU 2N6517BU Hersteller : ON Semiconductor 2n6517-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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