2N6517BU ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 7020 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 940+ | 0.08 EUR |
| 980+ | 0.07 EUR |
| 1040+ | 0.07 EUR |
| 2000+ | 0.07 EUR |
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Technische Details 2N6517BU ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote 2N6517BU nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2N6517BU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40Hz...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 20...200 Collector current: 0.5A |
auf Bestellung 7020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6517BU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 8974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6517BU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 4542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6517BU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 13260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6517BU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N6517BU | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN 500mA 350V 620mW 2N6517 T2N6517 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6517BU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |