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2N6517BU

2N6517BU ONSEMI

2N6517-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 20...200
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
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Technische Details 2N6517BU ONSEMI

Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N6517BU 2N6517BU ON Semiconductor 2n6517-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N6517BU 2N6517BU onsemi 2N6517-D.PDF Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
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2N6517BU 2N6517BU onsemi / Fairchild 2N6517_D-2037079.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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2N6517BU 2N6517BU ONSEMI 112567.pdf Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N6517BU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 200MHz
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