2N6766

2N6766

Hersteller: MICROSEMI
TO-204AE/N-CHANNEL MOSFET 2N6766
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Technische Details 2N6766

Description: MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-3, Package / Case: TO-204AE.

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2N6766
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N6766
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-3
Package / Case: TO-204AE
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