2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N7002DWH6327XTSA1 nach Preis ab 0.044 EUR bis 6.34 EUR
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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