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2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies

61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon T2N7002dwh6327_INFINEON_0001.pdf Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DWH6327 T2N7002dwh6327
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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835+0.17 EUR
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002DWH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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729+0.098 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.069 EUR
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9000+0.057 EUR
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DW_Rev2_3.pdf MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DW_Rev2.2_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431a5c32f2011ad94ed41363f2 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DWH6327 T2N7002dwh6327
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15015 Stücke:
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2N7002DWH6327XTSA1 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
auf Bestellung 27642 Stücke:
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2N7002DWH6327XTSA1 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
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2N7002DWH6327XTSA1 INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 97880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DWH6327XTSA1 INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
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Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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