2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.99 EUR |
| 10+ | 0.69 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N7002DWH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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| 2N7002DWH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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