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2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3 Vishay


2n7002e.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002E-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.

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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2N7002E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2N7002E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors 2n7002e.pdf MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
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2N7002E-T1-GE3
Produktcode: 167495
2n7002e.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : Vishay 70860.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Hersteller : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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