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2N7002E-T1-GE3


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Produktcode: 167495
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Transistoren > MOSFET N-CH

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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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17+1.27 EUR
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2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Vishay Semiconductors 2n7002e.pdf MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
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MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
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