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2SB1122S-TD-E

2SB1122S-TD-E onsemi


2sb1122-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 73000 Stücke:

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Technische Details 2SB1122S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

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2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS37481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 74580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS37481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2SB1122S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SB1122S-TD-E Hersteller : SANYO 2sb1122-d.pdf 09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SB1122S-TD-E Hersteller : SANYO 2sb1122-d.pdf SOT89
auf Bestellung 67000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SB1122S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2SB1122-D-1801494.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
auf Bestellung 5467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2SB1122S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SB1122S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 43022sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Hersteller : onsemi 2sb1122-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Hersteller : onsemi 2sb1122-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar