2SB1122S-TD-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1854+ | 0.25 EUR |
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Technische Details 2SB1122S-TD-E onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2SB1122S-TD-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SB1122S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 150MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 1A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 74580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1122S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 74580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : SANYO |
09+ |
auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : SANYO |
SOT89 |
auf Bestellung 67000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V |
auf Bestellung 5467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB1122S-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB1122S-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |