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2SB1122S-TD-E

2SB1122S-TD-E onsemi

2sb1122-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 54000 Stücke:
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Technische Details 2SB1122S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 1A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E ONSEMI 2sb1122-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11580 Stücke:
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2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E ONSEMI 2sb1122-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SB1122S-TD-E ON Semiconductor 2sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SB1122S-TD-E ON Semiconductor 2sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SB1122S-TD-E ON Semiconductor 2sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SB1122S-TD-E SANYO 2sb1122-d.pdf SOT89
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2SB1122S-TD-E ON Semiconductor 2SB1122-D-1801494.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
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2SB1122S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
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Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
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2SB1122S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 150MHz
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