2SB1122S-TD-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 74000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1854+ | 0.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SB1122S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 140, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 2SB1122S-TD-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1122S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
2SB1122S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.3 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : SANYO |
09+ |
auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : SANYO |
SOT89 |
auf Bestellung 67000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V |
auf Bestellung 5467 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
||
| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
| 2SB1122S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
2SB1122S-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
2SB1122S-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |