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Technische Details 2V7002WT1G onsemi
Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 280mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2V7002WT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2V7002WT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 280mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.19ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 280mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
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2V7002WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.4A Power dissipation: 0.28W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2V7002WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
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2V7002WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
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2V7002WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.4A Power dissipation: 0.28W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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