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2V7002WT1G

2V7002WT1G ON Semiconductor


2n7002w-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details 2V7002WT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : onsemi 1C64B777F317BE7B67F68B97351146606267F77D5DF431BFE2EBB1ADE9DF984B.pdf MOSFETs NFET 60V 115MA 7OHM
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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2V7002WT1G 2V7002WT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9B6BA9F2FBE0C7&compId=2N7002W.PDF?ci_sign=cf1f457fbc10d4b3aa7d2a7244961306b9cbf927 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.28W
Pulsed drain current: 1.4A
On-state resistance: 2.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
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