2V7002WT1G ON Semiconductor
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Technische Details 2V7002WT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote 2V7002WT1G nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2V7002WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2V7002WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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2V7002WT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET 60V 115MA 7OHM |
auf Bestellung 55084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2V7002WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
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2V7002WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.28W Pulsed drain current: 1.4A On-state resistance: 2.5Ω Gate-source voltage: ±20V Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V |
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