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2DB1132R-13

2DB1132R-13 Diodes Zetex

ds31142.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2DB1132R-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Hersteller : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1285000 Stücke:
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5000+0.21 EUR
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62500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Hersteller : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
auf Bestellung 2480 Stücke:
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10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Hersteller : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1287638 Stücke:
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18+0.99 EUR
29+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Hersteller : DIODES INC. 2DB1132P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Hersteller : DIODES INC. 2DB1132P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Hersteller : Diodes Inc 435ds31142.pdf Trans GP BJT PNP 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2DB1132R-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED 2DB1132P_Q_R.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 1A; 2W; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 82...390
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 190MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
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