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2DB1132R-13

2DB1132R-13 Diodes Zetex

ds31142.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2DB1132R-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 602500 Stücke:
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
auf Bestellung 2480 Stücke:
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4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 604563 Stücke:
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25+0.83 EUR
31+0.7 EUR
50+0.61 EUR
100+0.54 EUR
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2DB1132R-13 2DB1132R-13 DIODES INC. 2DB1132P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1580 Stücke:
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130+1.93 EUR
195+1.19 EUR
306+0.7 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
195+1.19 EUR
306+0.7 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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2DB1132R-13 2DB1132P_Q_R.pdf
2DB1132R-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
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Power - Max: 1 W
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Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
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5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2DB1132R-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 604563 Stücke:
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16+1.36 EUR
25+0.83 EUR
31+0.7 EUR
50+0.61 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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2DB1132R-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.93 EUR
195+1.19 EUR
306+0.7 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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2DB1132R-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
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Wandlerpolarität: PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1580 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
130+1.93 EUR
195+1.19 EUR
306+0.7 EUR
500+0.46 EUR
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