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2DD1664Q-13

2DD1664Q-13 Diodes Zetex

ds31143.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 32V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2DD1664Q-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DD1664Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2DD1664Q-13 2DD1664Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31143.pdf Description: TRANS NPN 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 122500 Stücke:
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2DD1664Q-13 2DD1664Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31143.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo
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4+0.79 EUR
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1000+0.24 EUR
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2DD1664Q-13 2DD1664Q-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009689736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DD1664Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2090 Stücke:
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2DD1664Q-13 2DD1664Q-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009689736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DD1664Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2DD1664Q-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31143.pdf 2DD1664Q-13 NPN SMD transistors
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685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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2DD1664Q-13 2DD1664Q-13 Hersteller : Diodes Zetex ds31143.pdf Trans GP BJT NPN 32V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2DD1664Q-13 Hersteller : Infineon Technologies ds31143.pdf Bipolar Transistors - BJT
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