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2ED2109S06FXUMA1

2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies

infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.19 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 740ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote 2ED2109S06FXUMA1 nach Preis ab 1.26 EUR bis 3.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies Infineon_2ED2109_4_S06F_J_DataSheet_v02_32_EN-3360494.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
auf Bestellung 8630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+2.07 EUR
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250+1.8 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
12+1.77 EUR
25+1.61 EUR
100+1.43 EUR
250+1.33 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 INFINEON infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
122+1.9 EUR
135+1.59 EUR
153+1.4 EUR
250+1.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 INFINEON infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
122+1.9 EUR
135+1.59 EUR
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250+1.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 850 Stücke:
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81+2.17 EUR
93+1.86 EUR
94+1.8 EUR
100+1.65 EUR
250+1.61 EUR
500+1.57 EUR
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2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 1915 Stücke:
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69+2.55 EUR
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2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 850 Stücke:
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49+3.56 EUR
58+2.93 EUR
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2ED2109S06FXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
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10+2.07 EUR
100+1.87 EUR
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2ED2109S06FXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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9+2.45 EUR
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100+1.43 EUR
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2ED2109S06FXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
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Treiberkonfiguration: Halbbrücke
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Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 648 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
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135+1.59 EUR
153+1.4 EUR
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2ED2109S06FXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.82 EUR
122+1.9 EUR
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153+1.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 850 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
81+2.17 EUR
93+1.86 EUR
94+1.8 EUR
100+1.65 EUR
250+1.61 EUR
500+1.57 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 1915 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
69+2.55 EUR
100+2.43 EUR
250+2.3 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 850 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
49+3.56 EUR
58+2.93 EUR
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