2N1711 CDIL
Hersteller: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 20...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 70MHz
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 62+ | 1.16 EUR |
| 83+ | 0.87 EUR |
| 138+ | 0.52 EUR |
| 184+ | 0.39 EUR |
| 195+ | 0.37 EUR |
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Technische Details 2N1711 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N1711 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N1711 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2N1711 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 20...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 70MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N1711 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N1711 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N1711 | Hersteller : CDIL |
NPN; 300; 800mW; 50V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 200°C; 2N1711 CDIL T2N1711 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N1711 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 43828
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-39 fT: 100 MHz Uceo,V: 50 Ucbo,V: 75 Ic,A: 0,5 h21: 135 |
Produkt ist nicht verfügbar
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| 2N1711 | Hersteller : Central Semiconductor |
Транзистор біполярний NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=50V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfe=20...300 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 2500mW 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N1711 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 75V; 0.5A; 0.8W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 75V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT Frequency: 70MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |