2N1711 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 43828
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-39
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,5
h21: 135
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote 2N1711 (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 1.07 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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2N1711 | Hersteller : CDIL |
 NPN; 300; 800mW; 50V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 200°C; 2N1711 CDIL T2N1711Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N1711 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N1711 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N1711 | Hersteller : Centralsemi |
TO-39 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N1711 | Hersteller : STM |
TO-39 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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2N1711 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 75V 500mA 800mW NPN Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
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| 2N1711 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N1711 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 75V; 0.5A; 0.8W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 75V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT Frequency: 70MHz |
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2N1711 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.8/3W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 20...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 70MHz |
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