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2N2222AE3

2N2222AE3 Microchip Technology

2N2221A%2C%202N2222A.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2N2222AE3 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

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2N2222AE3 2N2222AE3 Hersteller : Microchip Technology 2N2221A_2N2222A_00005314A_MIL_PRF_19500_255-3442193.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
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2N2222AE3 Hersteller : Microchip Technology nods.pdf NPN Silicon Switching Transistor
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2N2222AE3 Hersteller : Microchip Technology 00005314a.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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