2N2222AUB/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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Technische Details 2N2222AUB/TR Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N2222AUB/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 59 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R |
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| 2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R |
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| 2N2222AUB/TR |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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Stück im Wert von UAH
| 2N2222AUB/TR |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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Stück im Wert von UAH
| 2N2222AUB/TR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| 2N2222AUB/TR |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
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Stück im Wert von UAH
| 2N2222AUB/TR |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| 2N2222AUB/TR |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
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