2N2369A (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N2369A (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 22576
Hersteller:
Gehäuse: TO-18
fT: 675 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 40
Ic,A: 0,2
h21: 50

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Technische Details 2N2369A (Bipolartransistor NPN)

Preis 2N2369A (Bipolartransistor NPN) ab 10.01 EUR bis 10.32 EUR

2N2369A
2N2369A
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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auf Bestellung 104 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+ 10.01 EUR
2N2369A
2N2369A
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 15V TO18
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
8893-lds-0057-datasheet
auf Bestellung 45 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+ 10.32 EUR
2N2369A
2N2369A
Hersteller: Semelab
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18
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2N2369A
2N2369A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18
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2N2369A
2N2369A
Hersteller: MULTICOMP
Description: MULTICOMP - 2N2369A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 360 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 360
Übergangsfrequenz ft: 500
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
SCMP-S-A0005145849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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2N2369A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2369A
Hersteller: MICROSEMI
TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2369
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2369A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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2N2369A
Hersteller: Semelab (TT electronics)
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18
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2N2369A
Hersteller: Semicoa Semiconductors
Trans GP BJT NPN 15V 360mW Die
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2N2369A
2N2369A
Hersteller: TT Electronics - IoT Solutions
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
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2N2369A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2369A
2N2369A
Hersteller: Semelab / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
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2N2369A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2369A
2N2369A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
Frequency - Transition: 675MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Tube
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-18
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2N2369A
Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
Description: DIE TRANS NPN MED PWR HS SWITCH
Base Part Number: 2N2369
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tray
Part Status: Active
Manufacturer: MICROSS/On Semiconductor
8893-lds-0057-datasheet 2N2369A.pdf
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