2N2369A Microchip Technology
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Technische Details 2N2369A Microchip Technology
Description: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18, Packaging: Tube, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 675MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 360 mW.
Weitere Produktangebote 2N2369A nach Preis ab 6.19 EUR bis 6.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N2369A | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 15V TO18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW |
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2N2369A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2369A (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 22576
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-18 fT: 675 MHz Uceo,V: 40 Ucbo,V: 40 Ic,A: 0,2 h21: 50 |
Produkt ist nicht verfügbar
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| 2N2369A | Hersteller : MICROSEMI |
TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2369 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N2369A | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N2369A | Hersteller : Semelab / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N2369A | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18 Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 675MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW |
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2N2369A | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18 |
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2N2369A | Hersteller : Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 360mW 3-Pin TO-18 Box |
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2N2369A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
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2N2369A | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18 |
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2N2369A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18 Bag |
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2N2369A | Hersteller : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18 |
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| 2N2369A | Hersteller : Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 15V 360mW Die |
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2N2369A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2369A | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
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