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2N2905A

2N2905A CDIL

2N2904_5A.pdf Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.6/3W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.6/3W
Case: TO39
Current gain: 50...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details 2N2905A CDIL

Description: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-205AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-205AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

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2N2905A 2N2905A Hersteller : CDIL 2N2904_5A.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.6/3W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.6/3W
Case: TO39
Current gain: 50...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
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2N2905A 2N2905A Hersteller : Microchip Technology lds-0186.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2905A 2N2905A Hersteller : Microchip Technology LDS_0186-1592789.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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2N2905A 2N2905A Hersteller : MULTICOMP PRO 2861177.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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2N2905A Hersteller : CDIL 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN NPN Type (10p).pdf 2N2905A, 2N2907A.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 60; Ic = 600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °C = -65...+200; TO-39-3
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2N2905A Hersteller : Central Semiconductor 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN NPN Type (10p).pdf 2N2905A, 2N2907A.pdf Транз. Бипол. ММ PNP TO-39-3 Metal Can Uceo=60V; Ic=0,6A; f=200MHz; Pdmax=0,6W; hfemin=100 @ 150mA, 10V
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2N2905A Hersteller : CDIL 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN NPN Type (10p).pdf 2N2905A, 2N2907A.pdf PNP 600mA 60V 600mW 200MHz 2N2905A T2N2905a
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2N2905A 2N2905A Hersteller : STMicroelectronics 3301cd00003088.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2905A 2N2905A Hersteller : Microchip Technology lds-0186.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2905A 2N2905A Hersteller : Microchip Technology 116125482-lds-0186-1.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2905A 2N2905A Hersteller : Semelab (TT electronics) 2n2905a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
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2N2905A Hersteller : MICROSEMI 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN NPN Type (10p).pdf 2N2905A, 2N2907A.pdf TO39/PNP TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2905A 2N2905A Hersteller : Microchip Technology 122694-lds-0186-datasheet Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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2N2905A Hersteller : onsemi 2N,FTSO,PN NPN Type (10p).pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
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2N2905A 2N2905A Hersteller : STMicroelectronics 2N2905A, 2N2907A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
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2N2905A 2N2905A Hersteller : Semelab 2n2905a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
2N2905A 2N2905A Hersteller : Semelab / TT Electronics SEMES08236_1-2565080.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
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2N2905A (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27215 		2n2905a.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 150
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