2N2905A (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N2905A (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 27215
Hersteller:
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 150

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Technische Details 2N2905A (Bipolartransistor NPN)

Preis 2N2905A (Bipolartransistor NPN) ab 0.47 EUR bis 29.72 EUR

2N2905A
Hersteller: CDIL
PNP; Uceo, = 60; Ic = 600 ; ft, = 200; hFE = 100 @ 150 A, 10 ; Uceo(sat), @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 A, 500 ; , °C = -65...+200; TO-39-3
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2N2905A
Hersteller: CDIL
PNP 600mA 60V 600mW 200MHz Trans. 2N2905A TO39 T2N2905a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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2N2905A
Hersteller: CDIL
Material: 2N2905A-CDI PNP THT transistors
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136+ 0.53 EUR
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Semelab
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
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39 Stücke
2N2905A
2N2905A
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-205AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: -
Verlustleistung Pd: 3
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-205AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 600
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
2861177.pdf
57519 Stücke
2N2905A
Hersteller: CDIL
Material: 2N2905A-CDI PNP THT transistors
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782 Stücke
2N2905A
2N2905A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
3301cd00003088.pdf
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2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
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2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
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2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
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2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
2N2905A,%202N2907A.pdf 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2904A-ssi.pdf 2N2905A.pdf
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2N2905A
Hersteller: MICROSEMI
TO39/PNP TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Semelab / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
SEMES08236_1-2565080.pdf
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2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
2N2905A,%202N2907A.pdf 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2904A-ssi.pdf 2N2905A.pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
CD00003088-491103.pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Welwyn Components / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
2N2905A-1664993.pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
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2N2905A
Hersteller: onsemi
Description: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39
2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Solid State Inc.
Description: TO 39 PNP SILICON TRANSISTOR
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Box
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N2905A
2N2905A
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP SI-AF OUTPUT
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
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auf Bestellung 72 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N2905A
2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
122694-lds-0186-datasheet
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