2N2905A MULTICOMP PRO
Hersteller: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
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Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details 2N2905A MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2N2905A nach Preis ab 0.92 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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2N2905A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N2905A | Hersteller : CDIL |
PNP 600mA 60V 600mW 200MHz 2N2905A T2N2905a Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N2905A | Hersteller : CDIL |
Транзистор PNP; Uceo, В = 60; Ic = 600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °C = -65...+200; TO-39-3 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2905A (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 27215
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-18 fT: 200 MHz Uceo,V: 60 Ucbo,V: 60 Ic,A: 0,6 h21: 150 |
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2905A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2905A | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2905A | Hersteller : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2905A | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2905A | Hersteller : MICROSEMI |
TO39/PNP TRANSISTOR 2N2905 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2905A | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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| 2N2905A | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
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2N2905A | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
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2N2905A | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
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2N2905A | Hersteller : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.6/3W Case: TO39 Current gain: 50...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz |
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