2N2905A (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N2905A (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 27215
Hersteller:
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 150

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Technische Details 2N2905A (Bipolartransistor NPN)

Preis 2N2905A (Bipolartransistor NPN) ab 0.31 EUR bis 25.48 EUR

2N2905A
Hersteller: CDIL
PNP; Uceo, = 60; Ic = 600 ; ft, = 200; hFE = 100 @ 150 A, 10 ; Uceo(sat), @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 A, 500 ; , °C = -65...+200; TO-39-3
2N2905A,%202N2907A.pdf 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2904A-ssi.pdf 2N2905A.pdf
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2N2905A
Hersteller: CDIL
PNP 600mA 60V 600mW 200MHz Trans. 2N2905A TO39 T2N2905a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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2N2905A
Hersteller: CDIL
Material: 2N2905A-CDI PNP THT transistors
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221+ 0.32 EUR
234+ 0.31 EUR
2N2905A
2N2905A
Hersteller: Solid State Inc.
Description: TO 39 PNP SILICON TRANSISTOR
Supplier Device Package: TO-39
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition: 200MHz
Power - Max: 600mW
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Packaging: Box
Part Status: Active
Transistor Type: PNP
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
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2N2905A
Hersteller: Central Semiconductor Corp.
Material: 2N2905A-CEN PNP THT transistors
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36+ 2.02 EUR
39+ 1.84 EUR
41+ 1.74 EUR
2N2905A
2N2905A
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP SI-AF OUTPUT
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package: TO-39
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Active
Packaging: Bag
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 600mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
3301cd00003088.pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - 2N2905A - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 600 mA, 600 mW, TO-39, Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 600
DC Current Gain hFE: 50
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 600
Transistor Case Style: TO-39
Transition Frequency ft: 200
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Semelab
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-205AD, Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 3
DC Current Gain hFE: 50
Operating Temperature Max: 200
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 600
Transistor Case Style: TO-205AD
Transition Frequency ft: 200
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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86631 Stücke
2N2905A
2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
116125482-lds-0186-1.pdf
39 Stücke
2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
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2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
2N2905A,%202N2907A.pdf 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2904A-ssi.pdf 2N2905A.pdf
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2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
2N2905A,%202N2907A.pdf 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2904A-ssi.pdf 2N2905A.pdf
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2N2905A
Hersteller:
2N2905A TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
2N2905A,%202N2907A.pdf 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2904A-ssi.pdf 2N2905A.pdf
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2N2905A
Hersteller: MICROSEMI
TO39/PNP TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
CD00003088-491103.pdf
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2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
2N2905A,%202N2907A.pdf 122694-lds-0186-datasheet 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2904A-ssi.pdf 2N2905A.pdf
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2N2905A
Hersteller: Semelab (TT electronics)
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Semelab / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
SEMES08236_1-2565080.pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Welwyn Components / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
2N2905A-1664993.pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Supplier Device Package: TO-39
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Frequency - Transition: 200MHz
Power - Max: 600mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
2N2905A,%202N2907A.pdf
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2N2905A
2N2905A
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 800mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
122694-lds-0186-datasheet
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2905A
Hersteller: onsemi
Description: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 600mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf
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