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2N2907A

2N2907A Diotec Semiconductor

2n2907a.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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Technische Details 2N2907A Diotec Semiconductor

Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.8 W, TO-18, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: TO-18, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A 2N2907A Hersteller : MULTICOMP PRO 2861178.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.8 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Produktcode: 83731
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Hersteller : ST 2n2907a.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
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 		2N2907A Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6AB5C26A0EAA0CE&compId=2n2907a.pdf?ci_sign=bdb80f6f1962cbfecd1ac623c6e27a56c67dedeb Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
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1719+0.042 EUR
3497+0.02 EUR
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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747+0.096 EUR
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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4000+0.038 EUR
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 00005313A.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 60V, 600mA, PNP
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16+0.18 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
4000+0.077 EUR
8000+0.051 EUR
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Microchip Technology 00005313A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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4+5.46 EUR
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Microchip Technology 2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291-3499782.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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50+6.89 EUR
100+6.37 EUR
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A 2N2907A Hersteller : DIOTEC 4421936.pdf Description: DIOTEC - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3980 Stücke:
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N2907A Hersteller : DIOTEC 00005313A.pdf Tranzystor PNP; 300; 625mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N2907A-DIO; 2N2907A T2N2907a DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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2N2907A Hersteller : CDIL 00005313A.pdf PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907A T2N2907a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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2N2907A Hersteller : Rectron Rectron_04012022_2N2906A_7A-2935839.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-18
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.6 EUR
10+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.73 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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2N2907A Hersteller : MICROSEMI 00005313A.pdf TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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2N2907A Hersteller : onsemi 00005313A.pdf
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2N2907A Hersteller : Toshiba 00005313A.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Semelab / TT Electronics SEMES07195_1-2565244.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N2907A 2N2907A Hersteller : STMicroelectronics 00005313A.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A 2N2907A Hersteller : CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD086F23D0110CE40DC&compId=2N2906A_2907A.pdf?ci_sign=36a1ac7886ebbc740c7159010f4a0173d6b88d35 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 50...300
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A 2N2907A Hersteller : STMicroelectronics 3301cd00003088.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Semelab 2n2907a_iss2.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Optek Technology 2n2907a_iss2.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
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2N2907A 2N2907A Hersteller : STMicroelectronics 3301cd00003088.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2907A 2N2907A Hersteller : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Rectron 82n2906a.pdf Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A 2N2907A Hersteller : Rectron 82n2906a.pdf Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A 2N2907A Hersteller : CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD086F23D0110CE40DC&compId=2N2906A_2907A.pdf?ci_sign=36a1ac7886ebbc740c7159010f4a0173d6b88d35 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 50...300
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Kind of package: bulk
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