2N2907A

2N2907A

Produktcode: 83731
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6

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Technische Details 2N2907A

Preis 2N2907A ab 0.17 EUR bis 9.13 EUR

2N2907A
Hersteller: DIOTEC
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Tranz. 2N2907A TO92 DIOTEC T2N2907a DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 70 Stücke
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auf Bestellung 70 Stücke
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180+ 0.17 EUR
2N2907A
Hersteller: CDIL
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz Trans. 2N2907A TO18 T2N2907a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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auf Bestellung 700 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+ 0.97 EUR
2N2907A
Hersteller: CDIL
Material: 2N2907A-CDI PNP THT transistors
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auf Bestellung 5158 Stücke
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57+ 1.25 EUR
92+ 0.78 EUR
153+ 0.47 EUR
170+ 0.42 EUR
500+ 0.37 EUR
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, TO-92, 60V, 600mA, PNP
2n2907a-2577411.pdf
auf Bestellung 12561 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
33+ 1.58 EUR
36+ 1.46 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.5 EUR
2N2907A
Hersteller: Central Semiconductor Corp.
Material: 2N2907A-CEN PNP THT transistors
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auf Bestellung 341 Stücke
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25+ 2.93 EUR
28+ 2.57 EUR
31+ 2.32 EUR
100+ 2.16 EUR
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
LDS_0059-1593948.pdf
auf Bestellung 16172 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+ 9.13 EUR
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Semelab
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
2n2907a_iss2.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Optek Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
2n2907a_iss2.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
3301cd00003088.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
3301cd00003088.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2n2907a.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
lds-0059.pdf
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2N2907A
Hersteller: Central Semiconductor Corp.
Material: 2N2907A-CEN PNP THT transistors
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341 Stücke
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2n2907a.pdf
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2N2907A
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N2907A-DIO PNP THT transistors
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2n2907a.pdf
11700 Stücke
2N2907A
Hersteller: CDIL
Material: 2N2907A-CDI PNP THT transistors
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
5158 Stücke
2N2907A
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N2907A-DIO PNP THT transistors
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
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2N2907A
Hersteller: MICROSEMI
TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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auf Bestellung 4 Stücke
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2N2907A
Hersteller:
2N2907A PNP TRANSISTOR 0.15A 60V 4W TO18
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
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2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
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2N2907A
Hersteller: Rectron
Bipolar Transistors - BJT TO-18
2N2906A-1396078.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Semelab / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
SEMES07195_1-2565244.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
CD00003088-491103.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Welwyn Components / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
2N2907A-1664934.pdf
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2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
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2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
auf Bestellung 11 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Solid State Inc.
Description: PNP SIL TRANS TO18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
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auf Bestellung 1920 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
2N2905A,%202N2907A.pdf
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP SI- AF OUTPUT
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
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auf Bestellung 3998 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO-92 60V 600MA
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Strip
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR PNP 60V 0.8AMP TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
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2N2907A
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
2N2907,2N2907A.pdf
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2N2907A
Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
Description: DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP
Packaging: Tray
Part Status: Active
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
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2N2907A
Hersteller: onsemi
Description: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf
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