2N2907A (ST) - Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details 2N2907A
Preis 2N2907A ab 0.02 EUR bis 9.13 EUR
2N2907A Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: 2N2907A-DIO PNP THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Diotec Semiconductor Description: BJT TO-92 60V 600MA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 250MHz Power - Max: 625 mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Strip Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA ![]() |
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2N2907A Hersteller: DIOTEC Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Tranz. 2N2907A TO92 DIOTEC T2N2907a DIOTEC Anzahl je Verpackung: 70 Stücke ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: CDIL PNP 600mA 60V 400mW 200MHz Trans. 2N2907A TO18 T2N2907a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: CDIL Material: 2N2907A-CDI PNP THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Diotec Semiconductor Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, TO-92, 60V, 600mA, PNP ![]() |
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2N2907A Hersteller: Central Semiconductor Corp. Material: 2N2907A-CEN PNP THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Microchip Technology Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Microchip Technology Description: TRANSISTOR PNP 60V 0.8AMP TO-18 Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT BJTs ![]() |
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2N2907A Hersteller: Semelab Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 ![]() |
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2N2907A Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: 2N2907A-DIO PNP THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
7070 Stücke |
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2N2907A Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag ![]() |
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2N2907A Hersteller: Optek Technology Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 ![]() |
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2N2907A Hersteller: Central Semiconductor Corp. Material: 2N2907A-CEN PNP THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
339 Stücke |
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2N2907A Hersteller: Microchip Technology Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag ![]() |
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2N2907A Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() |
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2N2907A Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() |
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2N2907A Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() |
7690 Stücke |
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2N2907A Hersteller: CDIL Material: 2N2907A-CDI PNP THT transistors ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
2735 Stücke |
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2N2907A Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag ![]() |
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2N2907A Hersteller: 2N2907A PNP TRANSISTOR 0.15A 60V 4W TO18 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: MICROSEMI TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Rectron Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Rectron Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Semelab / TT Electronics Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS ![]() |
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2N2907A Hersteller: Welwyn Components / TT Electronics Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS ![]() |
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2N2907A Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose ![]() |
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2N2907A Hersteller: Rectron Bipolar Transistors - BJT TO-18 ![]() |
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2N2907A Hersteller: STMicroelectronics Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Supplier Device Package: TO-18 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Part Status: Obsolete ![]() |
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2N2907A Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Description: DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP Packaging: Tray Part Status: Active ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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2N2907A Hersteller: Micro Commercial Co Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18-2 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-18 ![]() |
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2N2907A Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: T-PNP SI- AF OUTPUT Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Packaging: Bag Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) ![]() |
auf Bestellung 3998 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N2907A Hersteller: onsemi Description: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP ![]() |
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2N2907A Hersteller: Solid State Inc. Description: PNP SIL TRANS TO18 Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Box ![]() |
auf Bestellung 1920 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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