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2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR

Name: 2N2907A
Brand: DIOTEC SEMICONDUCTOR
SKU: 18976241-8
Price: 71.99000000000001 EUR
Availability: InStock

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack

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Technische Details 2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.8 W, TO-18, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: TO-18, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Bezeichnung

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Beschreibung

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2N2907A

Hersteller : MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.8 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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2N2907A
Produktcode: 83731

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Hersteller : ST

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6

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2N2907A

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis
313+	0.23 EUR
610+	0.12 EUR
1017+	0.07 EUR
1454+	0.05 EUR
1909+	0.04 EUR
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2539+	0.03 EUR

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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4000+	0.05 EUR
8000+	0.03 EUR

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW

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72+	0.25 EUR
118+	0.15 EUR
191+	0.09 EUR
500+	0.07 EUR
1000+	0.06 EUR
2000+	0.05 EUR

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 60V, 600mA, PNP

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10+	0.29 EUR
19+	0.15 EUR
100+	0.09 EUR
500+	0.08 EUR
1000+	0.07 EUR
4000+	0.06 EUR
8000+	0.04 EUR

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2N2907A

Hersteller : CDIL

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 50...300
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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65+	1.10 EUR
105+	0.68 EUR
175+	0.41 EUR
234+	0.31 EUR
248+	0.29 EUR

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2N2907A

Hersteller : CDIL

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65+	1.10 EUR
105+	0.68 EUR
175+	0.41 EUR
234+	0.31 EUR
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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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Anzahl	Preis
33+	4.56 EUR

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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW

auf Bestellung 448 Stücke:

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Anzahl	Preis
4+	5.58 EUR
100+	5.18 EUR

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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT

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Anzahl	Preis
1+	6.04 EUR
100+	5.61 EUR

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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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20+	7.48 EUR
50+	6.62 EUR
100+	6.12 EUR
250+	5.80 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

auf Bestellung 144 Stücke:

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Anzahl	Preis
15+	10.41 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 2554 Stücke:

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 3824 Stücke:

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N2907A

Hersteller : DIOTEC

Description: DIOTEC - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 12300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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2N2907A

Hersteller : DIOTEC

Tranzystor PNP; 300; 625mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N2907A-DIO; 2N2907A T2N2907a DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
600+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 600

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2N2907A

Hersteller : CDIL

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907A T2N2907a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 325 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
50+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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2N2907A

Hersteller : Rectron

Bipolar Transistors - BJT TO-18

auf Bestellung 3578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	1.58 EUR
10+	1.30 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.70 EUR
2500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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2N2907A

Hersteller : MICROSEMI

TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

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2N2907A

Hersteller : Toshiba

Bipolar Transistors - BJT

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW

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2N2907A

Hersteller : Semelab / TT Electronics

Bipolar Transistors - BJT

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2N2907A

Hersteller : onsemi

Array

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2N2907A

Hersteller : STMicroelectronics

Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose

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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2907A

Hersteller : Semelab (TT electronics)

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2907A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2907A

Hersteller : Semelab

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18

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2N2907A

Hersteller : Optek Technology

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18

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2N2907A

Hersteller : STMicroelectronics

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N2907A

Hersteller : Rectron

Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2907A

Hersteller : Rectron

Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2907A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N2907A

Hersteller : STMicroelectronics

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag

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