2N2907A (ST) - Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

2N2907A

2N2907A

Produktcode: 83731
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
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Technische Details 2N2907A

Preis 2N2907A ab 0.02 EUR bis 9.13 EUR

2N2907A
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N2907A-DIO PNP THT transistors
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1320+ 0.054 EUR
2093+ 0.034 EUR
2660+ 0.027 EUR
3226+ 0.022 EUR
4000+ 0.02 EUR
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO-92 60V 600MA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 250MHz
Power - Max: 625 mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Strip
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
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169+ 0.15 EUR
213+ 0.12 EUR
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480+ 0.081 EUR
960+ 0.077 EUR
2000+ 0.073 EUR
4000+ 0.069 EUR
2N2907A
Hersteller: DIOTEC
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Tranz. 2N2907A TO92 DIOTEC T2N2907a DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 70 Stücke
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180+ 0.17 EUR
2N2907A
Hersteller: CDIL
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz Trans. 2N2907A TO18 T2N2907a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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32+ 0.96 EUR
2N2907A
Hersteller: CDIL
Material: 2N2907A-CDI PNP THT transistors
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157+ 0.46 EUR
174+ 0.41 EUR
500+ 0.37 EUR
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, TO-92, 60V, 600mA, PNP
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2N2907A
Hersteller: Central Semiconductor Corp.
Material: 2N2907A-CEN PNP THT transistors
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29+ 2.52 EUR
32+ 2.26 EUR
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2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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27+ 5.92 EUR
28+ 5.65 EUR
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2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR PNP 60V 0.8AMP TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
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3+ 8.94 EUR
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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6+ 9.13 EUR
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Semelab
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
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2N2907A
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N2907A-DIO PNP THT transistors
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Optek Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
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2N2907A
Hersteller: Central Semiconductor Corp.
Material: 2N2907A-CEN PNP THT transistors
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf 		339 Stücke
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
lds-0059.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N2907A
Hersteller: CDIL
Material: 2N2907A-CDI PNP THT transistors
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf 		2735 Stücke
2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
3301cd00003088.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
Hersteller:
2N2907A PNP TRANSISTOR 0.15A 60V 4W TO18
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2N2907A
Hersteller: MICROSEMI
TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2907A
Hersteller: Rectron
Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N2907A
Hersteller: Rectron
Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Semelab / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
SEMES07195_1-2565244.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Welwyn Components / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
2N2907A-1664934.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2N2905A,%202N2907A.pdf 2N2907,2N2907A.pdf 2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 2N2906A-ssi.pdf 2N2907A.pdf 2n2907a.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
CD00003088-491103.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
Hersteller: Rectron
Bipolar Transistors - BJT TO-18
Rectron_04012022_2N2906A_7A-2935839.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
2N2907A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
2N2905A,%202N2907A.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
Description: DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP
Packaging: Tray
Part Status: Active
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2N2907A
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18-2
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-18
2N2907,2N2907A.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
2N2907A
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP SI- AF OUTPUT
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
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2N2907A
Hersteller: onsemi
Description: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
2N,FTSO,PN%20NPN%20Type%20(10p).pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N2907A
2N2907A
Hersteller: Solid State Inc.
Description: PNP SIL TRANS TO18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
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