2N2907AE3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Lead-Free Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.48 EUR |
| 100+ | 6.02 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N2907AE3 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2N2907AE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2907AE3 | Hersteller : Microchip Technology |
BJTs |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
| 2N2907AE3 | Hersteller : Microchip Technology |
Small-Signal BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| 2N2907AE3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
2N2907AE3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |