
2N2907AUB1 STMicroelectronics

Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
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Technische Details 2N2907AUB1 STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 0.5A UB, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.8 W.
Weitere Produktangebote 2N2907AUB1 nach Preis ab 127.13 EUR bis 172.08 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N2907AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W |
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