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2N2907AUB1

2N2907AUB1 STMicroelectronics

en.CD00225218.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
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Technische Details 2N2907AUB1 STMicroelectronics

Description: RAD-HARD 60 V, 0.6 A PNP TRANSIS, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.8 W.

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2N2907AUB1 Hersteller : STMicroelectronics 2n2907ahr.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
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Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
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Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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