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2N3019 PBFREE

2N3019 PBFREE Central Semiconductor

2n301920series.pdf
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
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Technische Details 2N3019 PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2N3019 PBFREE 2N3019 PBFREE Central Semiconductor 2N3019_SERIES.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
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2N3019 PBFREE 2N3019 PBFREE Central Semiconductor 2N3019%20SERIES.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
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2N3019 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Current gain: 15...300
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