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2N3055 (Bipolartransistor NPN)

2N3055 (Bipolartransistor NPN) STMicroelectronics

2n3055-d.pdf
Produktcode: 32410
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO-3
fT: 2.5 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 70
verfügbar 10 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N3055 2N3055
Produktcode: 189642 		Hersteller : SPTECH 2001071232_SPTECH-2N3055_C479997.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2,5 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 44 Stück:
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2N3055 2N3055
Produktcode: 189642 		Hersteller : SPTECH 2001071232_SPTECH-2N3055_C479997.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2,5 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
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2N3055 2N3055 Hersteller : Microchip Technology 2n3055ne.pdf Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Mindestbestellmenge: 3
2N3055 2N3055 Hersteller : Microchip Technology 2n3055ne.pdf Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Mindestbestellmenge: 3
2N3055 2N3055 Hersteller : MULTICOMP PRO 2913467.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N3055 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N3055 Hersteller : CDIL 2N3055, MJ2955.pdf Біполярний транзистор NPN TO-3 Metal Can Uceo=60V; Ic=15A; Pdmax=115W; hfe=15...120
auf Bestellung 22 Stücke:
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2N3055 2N3055 Hersteller : STMicroelectronics CD00000895-490764.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
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2N3055 2N3055 Hersteller : STMicroelectronics 2N3055.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
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2N3055 2N3055 Hersteller : NTE Electronics 2N3055.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Current gain: 20...70
Mounting: THT
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2N3055 Hersteller : Toshiba 2N3055, MJ2955.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N3055 Hersteller : Broadcom / Avago 2N3055, MJ2955.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N3055 2N3055 Hersteller : TT Electronics - IoT Solutions SEMES08418_1-2565223.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N3055 2N3055
Produktcode: 123799 		Hersteller : CYD 2N3055, MJ2955.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 3 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
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2N3055 2N3055 Hersteller : Microchip Technology 2N3055, MJ2955.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N3055 2N3055 Hersteller : onsemi 2N3055_D-2309270.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP T03 NPN 15A 60V
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2N3055 2N3055 Hersteller : Microchip Technology 2n3055ne.pdf Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055 2N3055 Hersteller : STMicroelectronics 2N3055, MJ2955.pdf Description: TRANS NPN 60V 15A TO3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
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2N3055 2N3055 Hersteller : NTE Electronics 2N3055.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Current gain: 20...70
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3055 2N3055 Hersteller : STMicroelectronics 5450cd00000895.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
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2N3055 2N3055 Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055 2N3055 Hersteller : Optek Technology 2n3055.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N3055 2N3055 Hersteller : Microchip Technology 2N3055, MJ2955.pdf Description: TRANS NPN 70V 15A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 6 W
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745		 cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 16 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.088 EUR
SMICA TO-3 Dichtung Silikon 42x28mm fur TO-3
Produktcode: 26115		 smicato220_.pdf
SMICA TO-3 Dichtung Silikon 42x28mm fur TO-3
Hersteller: NINIGI
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung Silikon, für TO-3, 0.4К/W, 10kV/mm
Größe: 42x28х0,3mm
Матеріал: Силікон
verfügbar: 135 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.22 EUR
BZX85-C24
Produktcode: 35493		 BZX85C.pdf
BZX85-C24
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 24
Istab.direkt,A: 10mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
verfügbar: 1842 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.027 EUR
1000+ 0.025 EUR
SR10100L
Produktcode: 160639		 sr1040l_sr10100l-datasheet.pdf
SR10100L
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Vrrm(V): 100 V
If(A): 10 А
VF@IF: 0,75 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 165 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3300uF 35V EXR 16x36mm (EXR332M35B-Hitano)
Produktcode: 2452		 EXR_080421.pdf
3300uF 35V EXR 16x36mm (EXR332M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x36mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 30 Stück
erwartet: 600 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.98 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.73 EUR