Produkte > ONSEMI > 2N3055AG
2N3055AG

2N3055AG onsemi


2N3055A_D-2309305.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 115W NPN
auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 119-133 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.6 EUR
10+ 12.38 EUR
50+ 12.35 EUR
100+ 10.58 EUR
200+ 10.01 EUR
400+ 8.06 EUR
1200+ 7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N3055AG onsemi

Description: ONSEMI - 2N3055AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-204, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 6MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Weitere Produktangebote 2N3055AG nach Preis ab 10.09 EUR bis 15.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2N3055AG 2N3055AG Hersteller : onsemi 2n3055a-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.73 EUR
10+ 13.2 EUR
25+ 12.46 EUR
100+ 10.68 EUR
300+ 10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N3055AG 2N3055AG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013777028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N3055AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 6MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N3055AG 2N3055AG Hersteller : ON Semiconductor 2n3055a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N3055AG 2N3055AG Hersteller : ON Semiconductor 2n3055a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
2N3055AG 2N3055AG Hersteller : ON Semiconductor 2n3055a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar