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Technische Details 2N3055G onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2.5MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 115 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N3055G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 115 W |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N3055G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
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2N3055G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N3055G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
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