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2N3055G

2N3055G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Technische Details 2N3055G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2.5MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N3055G 2N3055G ON Semiconductor 2n3055d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055G 2N3055G ON Semiconductor 2n3055d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055G 2N3055G onsemi 2N3055-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
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2N3055G 2N3055G onsemi 2N3055-D.PDF description Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
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2N3055G 2N3055G ONSEMI ONSM-S-A0013185344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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2N3055G 2N3055G ONSEMI 2N3055G_MJ2955G.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Frequency: 2.5MHz
Power dissipation: 115W
Current gain: 20...70
Kind of package: in-tray
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2N3055G description 2n3055d.pdf
2N3055G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055G description 2n3055d.pdf
2N3055G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055G description 2N3055-D.PDF
2N3055G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
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2N3055G description 2N3055-D.PDF
2N3055G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
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2N3055G description ONSM-S-A0013185344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N3055G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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26+9.21 EUR
100+5.91 EUR
500+5.84 EUR
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2N3055G description 2N3055G_MJ2955G.PDF
2N3055G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Frequency: 2.5MHz
Power dissipation: 115W
Current gain: 20...70
Kind of package: in-tray
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