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2N3055G

2N3055G ON Semiconductor

2n3055-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Technische Details 2N3055G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2.5MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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2N3055G 2N3055G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB98D9A97E44469&compId=2N3055G.PDF?ci_sign=a97ddfdfd69afb8fdec3edd78e017e60d65cbc62 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2.5MHz
Current gain: 20...70
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3055G 2N3055G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB98D9A97E44469&compId=2N3055G.PDF?ci_sign=a97ddfdfd69afb8fdec3edd78e017e60d65cbc62 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2.5MHz
Current gain: 20...70
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2N3055G 2N3055G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055G 2N3055G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055G 2N3055G Hersteller : onsemi 2N3055_D-1801380.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
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2N3055G 2N3055G Hersteller : onsemi 2n3055-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
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Anzahl Preis
3+8.55 EUR
10+5.71 EUR
100+4.09 EUR
500+3.41 EUR
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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2N3055G 2N3055G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055G 2N3055G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013185344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N3055G 2N3055G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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