2N3250 PBFREE Central Semiconductor


2N3250.pdf
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N3250 PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 360 mW.

Weitere Produktangebote 2N3250 PBFREE nach Preis ab 1.78 EUR bis 5.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N3250 PBFREE 2N3250 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3250.PDF Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3250 PBFREE 2N3250.PDF
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.37 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH