2N3501 MULTICOMP PRO
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 3.52 EUR |
| 126+ | 1.86 EUR |
| 166+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
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Technische Details 2N3501 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: NO, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote 2N3501 nach Preis ab 16.92 EUR bis 18.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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2N3501 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3501 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N3501 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.2 EUR |
| 100+ | 16.92 EUR |
| 2N3501 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.52 EUR |