2N3501

2N3501 Microchip Technology


lds_0276_2N3498_01-3442789.pdf Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
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Technische Details 2N3501 Microchip Technology

Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N3501 2N3501 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861185.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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2N3501 Hersteller : MICROSEMI 125197-lds-0276-datasheet TO39/300 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3501
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2N3501 2N3501 Hersteller : Microchip Technology 125197-lds-0276-datasheet Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
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2N3501 2N3501 Hersteller : Semelab / TT Electronics SEMES08775_1-2565273.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
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